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BSM100GB120DN2HOSA1

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    BSM100GB120DN2HOSA1
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IGBT 2 MED POWER 62MM-1
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    1200V
  • Vce (on) (max) a VGE, Ic
    3V @ 15V, 100A
  • Contenitore dispositivo fornitore
    Module
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    800W
  • Contenitore / involucro
    Module
  • Altri nomi
    BSM100GB120DN2
    SP000100720
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Termistore NTC
    No
  • Tipo montaggio
    Chassis Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Cies) @ Vce
    6.5nF @ 25V
  • Ingresso
    Standard
  • Tipo IGBT
    -
  • Descrizione dettagliata
    IGBT Module Half Bridge 1200V 150A 800W Chassis Mount Module
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    2mA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    150A
  • Configurazione
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