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BSM35GD120DN2

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    BSM35GD120DN2
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IGBT BSM35GD120DN2BOSA1
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    BSM35GD120DN2.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    1200V
  • Vce (on) (max) a VGE, Ic
    3.2V @ 15V, 35A
  • Contenitore dispositivo fornitore
    Module
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    280W
  • Contenitore / involucro
    Module
  • Altri nomi
    BSM35GD120DN2BOSA1
    SP000100371
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Termistore NTC
    No
  • Tipo montaggio
    Chassis Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Cies) @ Vce
    2nF @ 25V
  • Ingresso
    Standard
  • Tipo IGBT
    NPT
  • Descrizione dettagliata
    IGBT Module NPT Three Phase Inverter 1200V 50A 280W Chassis Mount Module
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    50A
  • Configurazione
    Three Phase Inverter

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Descrizione: IGBT 2 MED POWER 62MM-1

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Descrizione: IGBT 2 MED POWER 34MM-1

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Descrizione: IGBT 2 MED POWER 62MM-2

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