International Rectifier (Infineon Technologies)

BSO110N03MSGXUMA1

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Specifiche

Modello di prodotti

BSO110N03MSGXUMA1
Costruttore / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

BSO110N03MSGXUMA1.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

PG-DSO-8
Serie

OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs

11 mOhm @ 12.1A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

1.56W (Ta)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi

BSO110N03MS G
BSO110N03MS G-ND
BSO110N03MS GINTR
BSO110N03MS GINTR-ND
BSO110N03MSGXUMA1TR
SP000446062
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

3 (168 Hours)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1500pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

30V
Descrizione dettagliata

N-Channel 30V 10A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount PG-DSO-8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

10A (Ta)

Notizie correlate
spedizione
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BSO130N03MSGXUMA1

Descrizione: MOSFET N-CH 30V 9A 8DSO

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)

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