International Rectifier (Infineon Technologies)

BSP318SH6327XTSA1

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Specifiche

Modello di prodotti

BSP318SH6327XTSA1
Costruttore / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 60V 2.6A
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

BSP318SH6327XTSA1.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

2V @ 20µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

PG-SOT223-4
Serie

SIPMOS®
Rds On (max) a Id, Vgs

90 mOhm @ 2.6A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

1.8W (Ta)
imballaggio

Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro

TO-261-4, TO-261AA
Altri nomi

BSP318SH6327XTSA1CT
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

380pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

60V
Descrizione dettagliata

N-Channel 60V 2.6A (Tj) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

2.6A (Tj)

Notizie correlate
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "BSP318SH6327XTSA1".

BSP321PL6327HTSA1

Descrizione: MOSFET P-CH 100V 0.98A SOT-223

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)

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