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BSR315PL6327HTSA1

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    BSR315PL6327HTSA1
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET P-CH 60V 620MA SC-59
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    BSR315PL6327HTSA1.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2V @ 160µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    PG-SC-59
  • Serie
    SIPMOS®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    800 mOhm @ 620mA, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    500mW (Ta)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Altri nomi
    BSR315P L6327
    BSR315P L6327-ND
    BSR315PL6327HTSA1TR
    SP000265405
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    176pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    6nC @ 10V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    60V
  • Descrizione dettagliata
    P-Channel 60V 620mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SC-59
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    620mA (Ta)

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Pagamento
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Descrizione: MOSFET P-CH 100V 360MA SC-59-3

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
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