BSS138NH6327XTSA2

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Specifiche

Modello di prodotti

BSS138NH6327XTSA2
Costruttore / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

BSS138NH6327XTSA2.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

1.4V @ 26µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

SOT-23-3
Serie

SIPMOS®
Rds On (max) a Id, Vgs

3.5 Ohm @ 230mA, 10V
Dissipazione di potenza (max)

360mW (Ta)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi

BSS138N H6327
BSS138N H6327-ND
BSS138NH6327XTSA1
BSS138NH6327XTSA2-ND
BSS138NH6327XTSA2TR
SP000639080
SP000919330
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

41pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

1.4nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

60V
Descrizione dettagliata

N-Channel 60V 230mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

230mA (Ta)

Notizie correlate
spedizione
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BSS138LT3G

Descrizione: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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