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BSS159N E6327

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    BSS159N E6327
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    BSS159N E6327.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.4V @ 26µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SOT-23-3
  • Serie
    SIPMOS®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    3.5 Ohm @ 160mA, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    360mW (Ta)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Altri nomi
    BSS159N E6327-ND
    BSS159NE6327
    BSS159NE6327XT
    SP000014638
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    44pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    2.9nC @ 5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    Depletion Mode
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    0V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    60V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 60V 230mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    230mA (Ta)

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