BSS806NL6327HTSA1

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Specifiche

Modello di prodotti

BSS806NL6327HTSA1
Costruttore / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

BSS806NL6327HTSA1.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

750mV @ 11µA
Vgs (Max)

±8V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

SOT-23-3
Serie

OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs

57 mOhm @ 2.3A, 2.5V
Dissipazione di potenza (max)

500mW (Ta)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi

BSS806N L6327
BSS806N L6327-ND
BSS806NL6327HTSA1TR
SP000464848
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

529pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

1.7nC @ 2.5V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 2.5V
Tensione drain-source (Vdss)

20V
Descrizione dettagliata

N-Channel 20V 2.3A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

2.3A (Ta)

Notizie correlate
spedizione
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BSS806NEH6327XTSA1

Descrizione: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)

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