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6341890Immagine BTS282Z E3230.International Rectifier (Infineon Technologies)

BTS282Z E3230

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    BTS282Z E3230
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    BTS282Z E3230.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2V @ 240µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    P-TO220-7-230
  • Serie
    TEMPFET®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    6.5 mOhm @ 36A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    300W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-220-7
  • Altri nomi
    BTS282Z E3230-ND
    BTS282ZE3230
    BTS282ZE3230AKSA1
    BTS282ZE3230NK
    SP000012357
    SP000457996
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    4800pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    232nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    Temperature Sensing Diode
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    49V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 49V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole P-TO220-7-230
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    80A (Tc)

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