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DF1000R17IE4DB2BOSA1

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    DF1000R17IE4DB2BOSA1
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IGBT MODULE 1700V 1000A
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
  • Specifiche
    DF1000R17IE4DB2BOSA1.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    1700V
  • Vce (on) (max) a VGE, Ic
    2.45V @ 15V, 1000A
  • Contenitore dispositivo fornitore
    Module
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    6250W
  • Contenitore / involucro
    Module
  • Altri nomi
    DF1000R17IE4D_B2
    DF1000R17IE4D_B2-ND
    SP000823694
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 150°C
  • Termistore NTC
    Yes
  • Tipo montaggio
    Chassis Mount
  • Produttore tempi di consegna standard
    26 Weeks
  • Capacità di ingresso (Cies) @ Vce
    81nF @ 25V
  • Ingresso
    Standard
  • Tipo IGBT
    -
  • Descrizione dettagliata
    IGBT Module Single 1700V 6250W Chassis Mount Module
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    5mA
  • Configurazione
    Single

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Produttori: Hirose
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Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
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Descrizione: TVS DIODE 5V 12V 10DFN

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
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Descrizione: DIODE GPP 1A 1000V 4DIP

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Descrizione: CONN 29PIN THRU HOLE

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Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
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Descrizione: IGBT MODULE 1700V 1000A

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
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Descrizione: TOOL HAND PRESS RECT IDC CONN

Produttori: Hirose
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Descrizione: RECT BRIDGE GPP 1000V 1A DF-M

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
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