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DF11MR12W1M1B11BOMA1

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    DF11MR12W1M1B11BOMA1
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET MODULE 1200V 50A
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    DF11MR12W1M1B11BOMA1.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    5.5V @ 20mA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    Module
  • Serie
    CoolSiC™
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    23 mOhm @ 50A, 15V
  • Potenza - Max
    20mW
  • Contenitore / involucro
    Module
  • Altri nomi
    SP001602238
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Chassis Mount
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    3950pF @ 800V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    125nC @ 5V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Caratteristica FET
    Silicon Carbide (SiC)
  • Tensione drain-source (Vdss)
    1200V (1.2kV)
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 50A 20mW Chassis Mount Module
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    50A

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