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DF200R12W1H3FB11BOMA1

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    DF200R12W1H3FB11BOMA1
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    DF200R12W1H3FB11BOMA1.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    1200V
  • Vce (on) (max) a VGE, Ic
    1.45V @ 15V, 30A
  • Contenitore dispositivo fornitore
    Module
  • Serie
    EasyPACK™
  • Potenza - Max
    20mW
  • Contenitore / involucro
    Module
  • Altri nomi
    DF200R12W1H3F B11BOMA1
    DF200R12W1H3F B11BOMA1-ND
    SP001602656
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 150°C
  • Termistore NTC
    Yes
  • Tipo montaggio
    Chassis Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Cies) @ Vce
    6.15nF @ 25V
  • Ingresso
    Standard
  • Tipo IGBT
    Trench Field Stop
  • Descrizione dettagliata
    IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 1200V 30A 20mW Chassis Mount Module
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    1mA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    30A
  • Configurazione
    Three Phase Inverter

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