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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistori-IGBTs-moduli > F475R06W1E3BOMA1
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F475R06W1E3BOMA1

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    F475R06W1E3BOMA1
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IGBT MODULE VCES 600V 75A
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
  • Specifiche
    F475R06W1E3BOMA1.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    600V
  • Vce (on) (max) a VGE, Ic
    1.9V @ 15V, 75A
  • Contenitore dispositivo fornitore
    Module
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    275W
  • Contenitore / involucro
    Module
  • Altri nomi
    F4-75R06W1E3
    F4-75R06W1E3-ND
    SP000257413
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 150°C
  • Termistore NTC
    Yes
  • Tipo montaggio
    Chassis Mount
  • Capacità di ingresso (Cies) @ Vce
    4.6nF @ 25V
  • Ingresso
    Standard
  • Tipo IGBT
    Trench Field Stop
  • Descrizione dettagliata
    IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 600V 100A 275W Chassis Mount Module
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    1mA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    100A
  • Configurazione
    Three Phase Inverter

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