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FD-DF80R12W1H3_B52

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    FD-DF80R12W1H3_B52
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IGBT MODULE VCES 1200V 40A
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
  • Specifiche
    FD-DF80R12W1H3_B52.pdf
  • Modello ECAD
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    1200V
  • Vce (on) (max) a VGE, Ic
    2.4V @ 15V, 40A
  • Contenitore dispositivo fornitore
    Module
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    215W
  • Contenitore / involucro
    Module
  • Altri nomi
    SP001092012
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 125°C
  • Termistore NTC
    Yes
  • Tipo montaggio
    Chassis Mount
  • Produttore tempi di consegna standard
    24 Weeks
  • Capacità di ingresso (Cies) @ Vce
    235nF @ 25V
  • Ingresso
    Standard
  • Tipo IGBT
    Trench Field Stop
  • Descrizione dettagliata
    IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 40A 215W Chassis Mount Module
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    1mA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    40A
  • Configurazione
    Single

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