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FF650R17IE4DPB2BOSA1

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    FF650R17IE4DPB2BOSA1
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IGBT MODULE VCES 1700V 650A
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
  • Specifiche
    FF650R17IE4DPB2BOSA1.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    1700V
  • Vce (on) (max) a VGE, Ic
    2.45V @ 15V, 650A
  • Contenitore dispositivo fornitore
    Module
  • Serie
    -
  • Contenitore / involucro
    Module
  • Altri nomi
    FF650R17IE4DP_B2
    FF650R17IE4DP_B2-ND
    SP001089910
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 150°C
  • Termistore NTC
    Yes
  • Tipo montaggio
    Chassis Mount
  • Produttore tempi di consegna standard
    26 Weeks
  • Capacità di ingresso (Cies) @ Vce
    54nF @ 25V
  • Ingresso
    Standard
  • Tipo IGBT
    Trench Field Stop
  • Descrizione dettagliata
    IGBT Module Trench Field Stop 2 Independent 1700V 650A Chassis Mount Module
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    5mA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    650A
  • Configurazione
    2 Independent

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