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FF800R17KF6CB2NOSA1

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    FF800R17KF6CB2NOSA1
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IGBT MODULE VCES 1200V 800A
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
  • Specifiche
    FF800R17KF6CB2NOSA1.pdf
  • Modello ECAD
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    1700V
  • Vce (on) (max) a VGE, Ic
    3.1V @ 15V, 800A
  • Contenitore dispositivo fornitore
    Module
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    6250W
  • Contenitore / involucro
    Module
  • Altri nomi
    FF800R17KF6C_B2
    FF800R17KF6C_B2-ND
    SP000100555
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 125°C
  • Termistore NTC
    No
  • Tipo montaggio
    Chassis Mount
  • Capacità di ingresso (Cies) @ Vce
    52nF @ 25V
  • Ingresso
    Standard
  • Tipo IGBT
    -
  • Descrizione dettagliata
    IGBT Module 2 Independent 1700V 6250W Chassis Mount Module
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    1.5mA
  • Configurazione
    2 Independent

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Descrizione: IGBT MODULE 1700V 800A

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
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Descrizione: IGBT MODULE VCES 1200V 800A

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
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Descrizione: IGBT MODULE A-IHM130-1

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In magazzino
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Descrizione: IGBT MODULE 1200V 800A

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
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Descrizione: IGBT MODULE VCES 1200V 800A

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Descrizione: IGBT MODULE VCES 1200V 800A

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
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In magazzino
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Descrizione: IGBT MODULE 1700V 800A

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
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Descrizione: PWR MOD IGBT4 650V 1200A SP6

Produttori: Microsemi
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