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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistori-IGBTs-moduli > FP40R12KT3GBOSA1
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Italia
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771606

FP40R12KT3GBOSA1

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$105.186
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Specifiche
  • Modello di prodotti
    FP40R12KT3GBOSA1
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IGBT MODULE VCES 1200V 40A
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
  • Specifiche
    FP40R12KT3GBOSA1.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    1200V
  • Vce (on) (max) a VGE, Ic
    2.3V @ 15V, 401A
  • Contenitore dispositivo fornitore
    Module
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    210W
  • Contenitore / involucro
    Module
  • Altri nomi
    FP40R12KT3G
    FP40R12KT3G-ND
    SP000100442
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 125°C
  • Termistore NTC
    Yes
  • Tipo montaggio
    Chassis Mount
  • Capacità di ingresso (Cies) @ Vce
    2.5nF @ 25V
  • Ingresso
    Standard
  • Tipo IGBT
    -
  • Descrizione dettagliata
    IGBT Module Three Phase Inverter 1200V 55A 210W Chassis Mount Module
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    5mA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    55A
  • Configurazione
    Three Phase Inverter

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Spedizione
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In magazzino
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