FS150R17N3E4BOSA1

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Specifiche

Modello di prodotti

FS150R17N3E4BOSA1
Costruttore / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

IGBT MODULE VCES 650V 150A
Stato Lead senza piombo / RoHS
Specifiche

FS150R17N3E4BOSA1.pdf
Modello ECAD
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

1700V
Vce (on) (max) a VGE, Ic

2.3V @ 15V, 150A
Contenitore dispositivo fornitore

Module
Serie

-
Potenza - Max

835W
Contenitore / involucro

Module
Altri nomi

FS150R17N3E4
FS150R17N3E4-ND
SP000880986
temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C
Termistore NTC

Yes
Tipo montaggio

Chassis Mount
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

13.5nF @ 25V
Ingresso

Standard
Tipo IGBT

Trench Field Stop
Descrizione dettagliata

IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 1700V 150A 835W Chassis Mount Module
Corrente - Cutoff collettore (max)

1mA
Corrente - collettore (Ic) (max)

150A
Configurazione

Three Phase Inverter

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "FS150R17N3E4BOSA1".

FS150R12KT3BOSA1

Descrizione: IGBT MODULE 1200V 200A CHASS MNT

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)

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