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FZ1200R12HP4HOSA2

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    FZ1200R12HP4HOSA2
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MODULE IGBT IHMB130-2
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    FZ1200R12HP4HOSA2.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    1200V
  • Vce (on) (max) a VGE, Ic
    2.05V @ 15V, 1200A
  • Contenitore dispositivo fornitore
    Module
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    7150W
  • Contenitore / involucro
    Module
  • Altri nomi
    FZ1200R12HP4
    SP001172148
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 150°C
  • Termistore NTC
    No
  • Tipo montaggio
    Chassis Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Cies) @ Vce
    74nF @ 25V
  • Ingresso
    Standard
  • Tipo IGBT
    Trench
  • Descrizione dettagliata
    IGBT Module Trench Single Switch 1200V 1790A 7150W Chassis Mount Module
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    5mA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    1790A
  • Configurazione
    Single Switch

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