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FZ800R12KS4B2NOSA1

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    FZ800R12KS4B2NOSA1
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MODULE IGBT A-IHM130-1
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    FZ800R12KS4B2NOSA1.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    1200V
  • Vce (on) (max) a VGE, Ic
    3.7V @ 15V, 800A
  • Contenitore dispositivo fornitore
    Module
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    7600W
  • Contenitore / involucro
    Module
  • Altri nomi
    FZ800R12KS4_B2
    SP000100554
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 125°C
  • Termistore NTC
    No
  • Tipo montaggio
    Chassis Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Capacità di ingresso (Cies) @ Vce
    52nF @ 25V
  • Ingresso
    Standard
  • Tipo IGBT
    -
  • Descrizione dettagliata
    IGBT Module Single 1200V 1200A 7600W Chassis Mount Module
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    5mA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    1200A
  • Configurazione
    Single

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