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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IPA083N10N5XKSA1
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1465035Immagine IPA083N10N5XKSA1.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPA083N10N5XKSA1

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IPA083N10N5XKSA1
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 100V 45A TO220-3
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    IPA083N10N5XKSA1.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    3.8V @ 49µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    PG-TO220-FP
  • Serie
    OptiMOS™
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    8.3 mOhm @ 44A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    36W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-220-3 Full Pack
  • Altri nomi
    SP001226038
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    2730pF @ 50V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    37nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    100V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 100V 44A (Tc) 36W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    44A (Tc)

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Descrizione: MOSFET N-CH 60V 60A TO220-3-31

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