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5739912Immagine IPB025N08N3GATMA1.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB025N08N3GATMA1

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IPB025N08N3GATMA1
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    IPB025N08N3GATMA1.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    3.5V @ 270µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    D²PAK (TO-263AB)
  • Serie
    OptiMOS™
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    2.5 mOhm @ 100A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    300W (Tc)
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Altri nomi
    IPB025N08N3 GCT
    IPB025N08N3 GCT-ND
    IPB025N08N3GATMA1CT
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    14200pF @ 40V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    206nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    80V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 80V 120A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    120A (Tc)

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Pagamento
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