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2477239Immagine IPB035N08N3 G.Infineon Technologies

IPB035N08N3 G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IPB035N08N3 G
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 80V 100A TO263-3
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    IPB035N08N3 G.pdf
  • Modello ECAD
  • Tensione - Prova
    8110pF @ 40V
  • Tensione - Ripartizione
    PG-TO263-2
  • Vgs (th) (max) a Id
    3.5 mOhm @ 100A, 10V
  • Vgs (Max)
    6V, 10V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Serie
    OptiMOS™
  • Stato RoHS
    Tape & Reel (TR)
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    100A (Tc)
  • Polarizzazione
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Altri nomi
    IPB035N08N3 G-ND
    IPB035N08N3G
    IPB035N08N3GATMA1
    SP000457588
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Livello di sensibilità umidità (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    12 Weeks
  • codice articolo del costruttore
    IPB035N08N3 G
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    117nC @ 10V
  • Tipo IGBT
    ±20V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    3.5V @ 155µA
  • Caratteristica FET
    N-Channel
  • Descrizione espansione
    N-Channel 80V 100A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-2
  • Tensione drain-source (Vdss)
    -
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 80V 100A TO263-3
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    80V
  • rapporto di capacità
    214W (Tc)

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