Per i visitatori di Electronica 2024

Prenota il tuo tempo adesso!

Tutto ciò che serve sono pochi clic per prenotare il tuo posto e ottenere il biglietto stand

Hall C5 Booth 220

Registrazione anticipata

Per i visitatori di Electronica 2024
Siete tutti iscritti! Grazie per aver preso un appuntamento!
Ti invieremo i biglietti per cabine via e -mail una volta verificata la prenotazione.
Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IPB048N06LGATMA1
RFQs/ORDINE (0)
Italia
Italia
5046452Immagine IPB048N06LGATMA1.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB048N06LGATMA1

Richiesta di offerta online

Completa tutti i campi richiesti con le informazioni di contatto. Fai clic "Invia RFQ" Ti contatteremo a breve tramite e -mail.O inviaci un'e -mail:info@ftcelectronics.com
Richiesta online
Specifiche
  • Modello di prodotti
    IPB048N06LGATMA1
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 60V 100A TO-263
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Vgs (th) (max) a Id
    2V @ 270µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    D²PAK (TO-263AB)
  • Serie
    OptiMOS™
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    4.4 mOhm @ 100A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    300W (Tc)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Altri nomi
    IPB048N06L G
    IPB048N06L G-ND
    IPB048N06LGATMA1TR
    IPB048N06LGINTR
    IPB048N06LGINTR-ND
    IPB048N06LGXT
    SP000204181
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    7600pF @ 30V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    225nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    60V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 60V 100A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    100A (Tc)
IPB03N03LB G

IPB03N03LB G

Descrizione: MOSFET N-CH 30V 80A TO-263

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
IPB04N03LB

IPB04N03LB

Descrizione: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
IPB03N03LA G

IPB03N03LA G

Descrizione: MOSFET N-CH 25V 80A TO-263

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
IPB03N03LB

IPB03N03LB

Descrizione: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
IPB048N15N5ATMA1

IPB048N15N5ATMA1

Descrizione: MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
IPB04N03LAT

IPB04N03LAT

Descrizione: MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
IPB049NE7N3GATMA1

IPB049NE7N3GATMA1

Descrizione: MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
IPB039N10N3GE8187ATMA1

IPB039N10N3GE8187ATMA1

Descrizione: MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
IPB03N03LA

IPB03N03LA

Descrizione: MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
IPB048N15N5LFATMA1

IPB048N15N5LFATMA1

Descrizione: MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
IPB042N03LGATMA1

IPB042N03LGATMA1

Descrizione: MOSFET N-CH 30V 70A TO-263-3

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
IPB042N10N3GATMA1

IPB042N10N3GATMA1

Descrizione: MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
IPB04N03LA G

IPB04N03LA G

Descrizione: MOSFET N-CH 25V 80A TO-263

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
IPB04N03LA

IPB04N03LA

Descrizione: MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
IPB049N08N5ATMA1

IPB049N08N5ATMA1

Descrizione: MOSFET N-CH 80V TO263-3

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
IPB042N10N3GE8187ATMA1

IPB042N10N3GE8187ATMA1

Descrizione: MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
IPB044N15N5ATMA1

IPB044N15N5ATMA1

Descrizione: MOSFET N-CH 150V 174A TO263-7

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
IPB04N03LB G

IPB04N03LB G

Descrizione: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
IPB041N04NGATMA1

IPB041N04NGATMA1

Descrizione: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
IPB049N06L3GATMA1

IPB049N06L3GATMA1

Descrizione: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino

Seleziona la lingua

Fai clic sullo spazio per uscire