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3758115Immagine IPB06CN10N G.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB06CN10N G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IPB06CN10N G
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    IPB06CN10N G.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    4V @ 180µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    D²PAK (TO-263AB)
  • Serie
    OptiMOS™
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    6.2 mOhm @ 100A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    214W (Tc)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Altri nomi
    IPB06CN10N G-ND
    IPB06CN10NG
    SP000096446
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    9200pF @ 50V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    139nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    100V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 100V 100A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    100A (Tc)

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