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5502991Immagine IPB120N06S4H1ATMA2.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB120N06S4H1ATMA2

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IPB120N06S4H1ATMA2
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    IPB120N06S4H1ATMA2.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    4V @ 200µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    PG-TO263-3-2
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    2.4 mOhm @ 100A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    250W (Tc)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Altri nomi
    SP001028782
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    21900pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    270nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    60V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 60V 120A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    120A (Tc)

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Descrizione: MOSFET N-CH TO263-3

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In magazzino
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