International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB144N12N3GATMA1

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Specifiche

Modello di prodotti

IPB144N12N3GATMA1
Costruttore / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 120V 56A TO263-3
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

IPB144N12N3GATMA1.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

4V @ 61µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

D²PAK (TO-263AB)
Serie

OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs

14.4 mOhm @ 56A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

107W (Tc)
imballaggio

Original-Reel®
Contenitore / involucro

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi

IPB144N12N3 GDKR
IPB144N12N3 GDKR-ND
IPB144N12N3GATMA1DKR
temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3220pF @ 60V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

49nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

120V
Descrizione dettagliata

N-Channel 120V 56A (Ta) 107W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

56A (Ta)

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "IPB144N12N3GATMA1".

IPB13N03LB

Descrizione: MOSFET N-CH 30V 30A D2PAK

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)

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