International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB65R110CFDATMA1

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Specifiche

Modello di prodotti

IPB65R110CFDATMA1
Costruttore / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

IPB65R110CFDATMA1.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

4.5V @ 1.3mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

D²PAK (TO-263AB)
Serie

CoolMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs

110 mOhm @ 12.7A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

277.8W (Tc)
imballaggio

Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi

IPB65R110CFDATMA1CT
IPB65R110CFDCT
IPB65R110CFDCT-ND
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3240pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

118nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

650V
Descrizione dettagliata

N-Channel 650V 31.2A (Tc) 277.8W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

31.2A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "IPB65R110CFDATMA1".

IPB65R095C7ATMA1

Descrizione: MOSFET N-CH TO263-3

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)

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