International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB70P04P409ATMA1

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Specifiche

Modello di prodotti

IPB70P04P409ATMA1
Costruttore / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH TO263-3
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

IPB70P04P409ATMA1.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

4V @ 120µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

D²PAK (TO-263AB)
Serie

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs

9.1 mOhm @ 70A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

75W (Tc)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi

SP000735964
temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4810pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

70nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

40V
Descrizione dettagliata

N-Channel 40V 72A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

72A (Tc)

Notizie correlate
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "IPB70P04P409ATMA1".

IPB80N03S4L02ATMA1

Descrizione: MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)

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