Per i visitatori di Electronica 2024

Prenota il tuo tempo adesso!

Tutto ciò che serve sono pochi clic per prenotare il tuo posto e ottenere il biglietto stand

Hall C5 Booth 220

Registrazione anticipata

Per i visitatori di Electronica 2024
Siete tutti iscritti! Grazie per aver preso un appuntamento!
Ti invieremo i biglietti per cabine via e -mail una volta verificata la prenotazione.
Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IPB80N06S2L-H5
RFQs/ORDINE (0)
Italia
Italia
6954804Immagine IPB80N06S2L-H5.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB80N06S2L-H5

Richiesta di offerta online

Completa tutti i campi richiesti con le informazioni di contatto. Fai clic "Invia RFQ" Ti contatteremo a breve tramite e -mail.O inviaci un'e -mail:info@ftcelectronics.com
Richiesta online
Specifiche
  • Modello di prodotti
    IPB80N06S2L-H5
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    IPB80N06S2L-H5.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    PG-TO263-3-2
  • Serie
    OptiMOS™
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    4.7 mOhm @ 80A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    300W (Tc)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    5000pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    190nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    55V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 55V 80A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    80A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

24/10/2024

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

10/10/2024
Spedizione
Pagamento
Di seguito sono riportati prodotti correlati "IPB80N06S2L-H5".
IPB80N04S4L04ATMA1

IPB80N04S4L04ATMA1

Descrizione: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
RFQ
IPB80N06S208ATMA1

IPB80N06S208ATMA1

Descrizione: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
RFQ
IPB80N06S2L09ATMA1

IPB80N06S2L09ATMA1

Descrizione: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
RFQ
IPB80N06S2L06ATMA2

IPB80N06S2L06ATMA2

Descrizione: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
RFQ
IPB80N06S2H5ATMA1

IPB80N06S2H5ATMA1

Descrizione: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
RFQ
IPB80N06S2L07ATMA3

IPB80N06S2L07ATMA3

Descrizione: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
RFQ
IPB80N06S2L11ATMA2

IPB80N06S2L11ATMA2

Descrizione: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
RFQ
IPB80N06S205ATMA1

IPB80N06S205ATMA1

Descrizione: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
RFQ
IPB80N06S2L11ATMA1

IPB80N06S2L11ATMA1

Descrizione: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
RFQ
IPB80N06S209ATMA2

IPB80N06S209ATMA2

Descrizione: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
RFQ
IPB80N06S207ATMA1

IPB80N06S207ATMA1

Descrizione: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
RFQ
IPB80N06S2H5ATMA2

IPB80N06S2H5ATMA2

Descrizione: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
RFQ
IPB80N06S2L07ATMA1

IPB80N06S2L07ATMA1

Descrizione: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
RFQ
IPB80N06S208ATMA2

IPB80N06S208ATMA2

Descrizione: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
RFQ
IPB80N06S2L05ATMA1

IPB80N06S2L05ATMA1

Descrizione: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
RFQ
IPB80N06S2L09ATMA2

IPB80N06S2L09ATMA2

Descrizione: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
RFQ
IPB80N06S207ATMA4

IPB80N06S207ATMA4

Descrizione: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
RFQ
IPB80N06S2L06ATMA1

IPB80N06S2L06ATMA1

Descrizione: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
RFQ
IPB80N06S209ATMA1

IPB80N06S209ATMA1

Descrizione: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
RFQ
IPB80N06S2LH5ATMA4

IPB80N06S2LH5ATMA4

Descrizione: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
RFQ
Come unico distributore di mercato aperto pubblico, possediamo una combinazione unica di accesso globale, competenza del settore manifatturiero e qualità comprovata.Con questo, possiamo creare soluzioni personalizzate per la catena di fornitura end-to-end per i componenti elettronici di approvvigionamento e gestione dell'inventario.
Seguirci su
Termini & CondizioniPolitica di violazioneRichiedi un preventivoChi siamoContattaciMappa del sito

Seleziona la lingua

Fai clic sullo spazio per uscire

Lingua corrente

Scegli il tuo paese o regione.