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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IPC302N10N3X1SA1
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6282111

IPC302N10N3X1SA1

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IPC302N10N3X1SA1
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 100V 1A SAWN ON FOIL
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    IPC302N10N3X1SA1.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    3.5V @ 302µA
  • Vgs (Max)
    -
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    Sawn on foil
  • Serie
    OptiMOS™
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    100 mOhm @ 2A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    -
  • Contenitore / involucro
    Die
  • Altri nomi
    SP000476916
  • temperatura di esercizio
    -
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    100V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 100V 1A (Tj) Surface Mount Sawn on foil
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