IPC80N04S403ATMA1

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Specifiche

Modello di prodotti

IPC80N04S403ATMA1
Costruttore / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 8TDSON
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

IPC80N04S403ATMA1.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

4V @ 60µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

PG-TDSON-8-23
Serie

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs

3.3 mOhm @ 40A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

100W (Tc)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

8-PowerVDFN
Altri nomi

SP001138828
temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5720pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

71nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

40V
Descrizione dettagliata

N-Channel 40V 80A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-23
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

80A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "IPC80N04S403ATMA1".

IPC60R600E6UNSAWNX6SA1

Descrizione: MOSFET N-CH BARE DIE

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)

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IPC80N04S403ATMA1

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