1203003

International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD048N06L3GBTMA1

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Specifiche

Modello di prodotti

IPD048N06L3GBTMA1
Costruttore / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

IPD048N06L3GBTMA1.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

2.2V @ 58µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

PG-TO252-3
Serie

OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs

4.8 mOhm @ 90A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

115W (Tc)
imballaggio

Original-Reel®
Contenitore / involucro

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi

IPD048N06L3GBTMA1DKR
temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

8400pF @ 30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

60V
Descrizione dettagliata

N-Channel 60V 90A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

90A (Tc)

Notizie correlate
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IPD053N08N3GATMA1

Descrizione: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)

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