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International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD082N10N3GBTMA1

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Specifiche

Modello di prodotti

IPD082N10N3GBTMA1
Costruttore / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

IPD082N10N3GBTMA1.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

3.5V @ 75µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

PG-TO252-3
Serie

OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs

8.2 mOhm @ 73A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

125W (Tc)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi

IPD082N10N3 G
IPD082N10N3 G-ND
IPD082N10N3GBTMA1TR
SP000485986
temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3980pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

55nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

100V
Descrizione dettagliata

N-Channel 100V 80A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

80A (Tc)

Notizie correlate
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IPD079N06L3GBTMA1

Descrizione: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)

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IPD082N10N3GBTMA1

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