International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD110N12N3GATMA1

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Specifiche

Modello di prodotti

IPD110N12N3GATMA1
Costruttore / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

IPD110N12N3GATMA1.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

3V @ 83µA (Typ)
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

PG-TO252-3
Serie

OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs

11 mOhm @ 75A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

136W (Tc)
imballaggio

Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi

IPD110N12N3GATMA1CT
temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4310pF @ 60V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

65nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

120V
Descrizione dettagliata

N-Channel 120V 75A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

75A (Tc)

Notizie correlate
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "IPD110N12N3GATMA1".

IPD100N04S402ATMA1

Descrizione: MOSFET N-CH 40V 100A TO252-3-313

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)

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