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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IPD220N06L3GBTMA1
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6678515Immagine IPD220N06L3GBTMA1.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD220N06L3GBTMA1

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IPD220N06L3GBTMA1
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    IPD220N06L3GBTMA1.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.2V @ 11µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    PG-TO252-3
  • Serie
    OptiMOS™
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    22 mOhm @ 30A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    36W (Tc)
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Altri nomi
    IPD220N06L3GBTMA1CT
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1600pF @ 30V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    10nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    60V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 60V 30A (Tc) 36W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    30A (Tc)

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