International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD60R600P7SAUMA1

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Specifiche

Modello di prodotti

IPD60R600P7SAUMA1
Costruttore / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 600V 6A TO252-3
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

IPD60R600P7SAUMA1.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

4V @ 80µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

PG-TO252-3
Serie

CoolMOS™ P7
Rds On (max) a Id, Vgs

600 mOhm @ 1.7A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

30W (Tc)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi

IPD60R600P7SAUMA1-ND
IPD60R600P7SAUMA1TR
SP001658286
temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

363pF @ 400V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

600V
Descrizione dettagliata

N-Channel 600V 6A (Tc) 30W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

6A (Tc)

Notizie correlate
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "IPD60R600P7SAUMA1".

IPD60R600C6BTMA1

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)

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