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IPD70N12S311ATMA1

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Specifiche

Modello di prodotti

IPD70N12S311ATMA1
Costruttore / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 120V 70A TO252-3
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

IPD70N12S311ATMA1.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

4V @ 83µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

PG-TO252-3-11
Serie

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs

11.1 mOhm @ 70A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

125W (Tc)
Contenitore / involucro

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi

SP001400108
temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4355pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

65nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

120V
Descrizione dettagliata

N-Channel 120V 70A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

70A (Tc)

Notizie correlate
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IPD70P04P409ATMA1

Descrizione: MOSFET P-CH TO252-3

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)

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