Per i visitatori di Electronica 2024

Prenota il tuo tempo adesso!

Tutto ciò che serve sono pochi clic per prenotare il tuo posto e ottenere il biglietto stand

Hall C5 Booth 220

Registrazione anticipata

Per i visitatori di Electronica 2024
Siete tutti iscritti! Grazie per aver preso un appuntamento!
Ti invieremo i biglietti per cabine via e -mail una volta verificata la prenotazione.
Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IPD80R1K4CEATMA1
RFQs/ORDINE (0)
Italia
Italia
1539868Immagine IPD80R1K4CEATMA1.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD80R1K4CEATMA1

Richiesta di offerta online

Completa tutti i campi richiesti con le informazioni di contatto. Fai clic "Invia RFQ" Ti contatteremo a breve tramite e -mail.O inviaci un'e -mail:info@ftcelectronics.com

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

In magazzino
1+
$1.48
10+
$1.311
100+
$1.036
500+
$0.804
1000+
$0.634
Richiesta online
Specifiche
  • Modello di prodotti
    IPD80R1K4CEATMA1
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    IPD80R1K4CEATMA1.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    3.9V @ 240µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    PG-TO252-3
  • Serie
    CoolMOS™
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    1.4 Ohm @ 2.3A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    63W (Tc)
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Altri nomi
    IPD80R1K4CEATMA1CT
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    570pF @ 100V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    23nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    800V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 800V 3.9A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    3.9A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

24/10/2024

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

10/10/2024
Spedizione
Pagamento
Di seguito sono riportati prodotti correlati "IPD80R1K4CEATMA1".
IPD80R1K0CEBTMA1

IPD80R1K0CEBTMA1

Descrizione: MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
RFQ
IPD80R360P7ATMA1

IPD80R360P7ATMA1

Descrizione: MOSFET N-CH 800V 13A TO252-3

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
RFQ
IPD78CN10NGATMA1

IPD78CN10NGATMA1

Descrizione: MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
RFQ
IPD800N06NGBTMA1

IPD800N06NGBTMA1

Descrizione: MOSFET N-CH 60V 16A TO-252

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
RFQ
IPD80R2K4P7ATMA1

IPD80R2K4P7ATMA1

Descrizione: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO252-3

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
RFQ
IPD80R1K4CEBTMA1

IPD80R1K4CEBTMA1

Descrizione: MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
RFQ
IPD80R1K4P7ATMA1

IPD80R1K4P7ATMA1

Descrizione: MOSFET N-CH 800V 4A DPAK

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
RFQ
IPD80R2K8CEBTMA1

IPD80R2K8CEBTMA1

Descrizione: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
RFQ
IPD80N06S3-09

IPD80N06S3-09

Descrizione: MOSFET N-CH 55V 80A TO252-3

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
RFQ
IPD80R280P7ATMA1

IPD80R280P7ATMA1

Descrizione: MOSFET N-CH 800V 17A TO252

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
RFQ
IPD80R2K7C3AATMA1

IPD80R2K7C3AATMA1

Descrizione: MOSFET N-CH TO252-3

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
RFQ
IPD80N04S306ATMA1

IPD80N04S306ATMA1

Descrizione: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
RFQ
IPD80R3K3P7ATMA1

IPD80R3K3P7ATMA1

Descrizione: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
RFQ
IPD80R1K2P7ATMA1

IPD80R1K2P7ATMA1

Descrizione: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO252-3

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
RFQ
IPD80P03P4L07ATMA1

IPD80P03P4L07ATMA1

Descrizione: MOSFET P-CH 30V 80A TO252-3

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
RFQ
IPD80R1K0CEATMA1

IPD80R1K0CEATMA1

Descrizione: MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
RFQ
IPD80R2K8CEATMA1

IPD80R2K8CEATMA1

Descrizione: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
RFQ
IPD78CN10NGBUMA1

IPD78CN10NGBUMA1

Descrizione: MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
RFQ
IPD80R2K0P7ATMA1

IPD80R2K0P7ATMA1

Descrizione: MOSFET N-CH 800V 3A TO252-3

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
RFQ
IPD80N04S306BATMA1

IPD80N04S306BATMA1

Descrizione: MOSFET N-CHANNEL_30/40V

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
RFQ
Come unico distributore di mercato aperto pubblico, possediamo una combinazione unica di accesso globale, competenza del settore manifatturiero e qualità comprovata.Con questo, possiamo creare soluzioni personalizzate per la catena di fornitura end-to-end per i componenti elettronici di approvvigionamento e gestione dell'inventario.
Seguirci su
Termini & CondizioniPolitica di violazioneRichiedi un preventivoChi siamoContattaciMappa del sito

Seleziona la lingua

Fai clic sullo spazio per uscire

Lingua corrente

Scegli il tuo paese o regione.