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6429659Immagine IPD90N04S4L04ATMA1.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD90N04S4L04ATMA1

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IPD90N04S4L04ATMA1
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    IPD90N04S4L04ATMA1.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.2V @ 35µA
  • Vgs (Max)
    +20V, -16V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    PG-TO252-3-313
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    3.8 mOhm @ 90A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    71W (Tc)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Altri nomi
    IPD90N04S4L-04
    IPD90N04S4L-04-ND
    IPD90N04S4L04ATMA1TR
    SP000646188
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    4690pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    60nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    40V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 40V 90A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    90A (Tc)

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Descrizione: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPD90N04S404ATMA1

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IPD90N06S404ATMA1

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IPD90N06S4L03ATMA2

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IPD90N04S403ATMA1

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IPD90N03S4L03ATMA1

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Descrizione: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3

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