International Rectifier (Infineon Technologies)

IPDD60R102G7XTMA1

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Specifiche

Modello di prodotti

IPDD60R102G7XTMA1
Costruttore / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET NCH 650V 66A PG-HDSOP-10
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

IPDD60R102G7XTMA1.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

4V @ 390µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

PG-HDSOP-10-1
Serie

CoolMOS™ G7
Rds On (max) a Id, Vgs

102 mOhm @ 7.8A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

139W (Tc)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

10-PowerSOP Module
Altri nomi

IPDD60R102G7XTMA1TR
SP001632832
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1320pF @ 400V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

34nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

600V
Descrizione dettagliata

N-Channel 600V 23A (Tc) 139W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-10-1
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

23A (Tc)

Notizie correlate
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "IPDD60R102G7XTMA1".

IPDH6N03LAG

Descrizione: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3-11

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)

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