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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IPDD60R102G7XTMA1
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3972112Immagine IPDD60R102G7XTMA1.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPDD60R102G7XTMA1

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IPDD60R102G7XTMA1
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET NCH 650V 66A PG-HDSOP-10
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    IPDD60R102G7XTMA1.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    4V @ 390µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    PG-HDSOP-10-1
  • Serie
    CoolMOS™ G7
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    102 mOhm @ 7.8A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    139W (Tc)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    10-PowerSOP Module
  • Altri nomi
    IPDD60R102G7XTMA1TR
    SP001632832
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1320pF @ 400V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    34nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    600V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 600V 23A (Tc) 139W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-10-1
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
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