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3264320Immagine IPG20N06S2L35AATMA1.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPG20N06S2L35AATMA1

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IPG20N06S2L35AATMA1
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET 2N-CH 8TDSON
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    IPG20N06S2L35AATMA1.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2V @ 27µA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    PG-TDSON-8-10
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    35 mOhm @ 15A, 10V
  • Potenza - Max
    65W
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    8-PowerVDFN
  • Altri nomi
    IPG20N06S2L35AATMA1-ND
    IPG20N06S2L35AATMA1TR
    SP001023838
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    790pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    23nC @ 10V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Caratteristica FET
    Logic Level Gate
  • Tensione drain-source (Vdss)
    55V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 2A (Tc) 65W Surface Mount PG-TDSON-8-10
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    2A (Tc)

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In magazzino
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Descrizione: MOSFET 2N-CH 8TDSON

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Descrizione: MOSFET 2N-CH 40V 20A TDSON-8

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