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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IPI072N10N3GXK
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IPI072N10N3GXK

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IPI072N10N3GXK
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Vgs (th) (max) a Id
    3.5V @ 90µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    PG-TO262-3
  • Serie
    OptiMOS™ 3
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    7.2 mOhm @ 80A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    150W (Tc)
  • Contenitore / involucro
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • Altri nomi
    SP000469900
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    4910pF @ 50V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    68nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    100V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 100V 80A (Tc) 150W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    80A (Tc)

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Pagamento
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Descrizione: MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
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