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6696374Immagine IPL60R199CPAUMA1.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPL60R199CPAUMA1

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IPL60R199CPAUMA1
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 650V 16.4A 4VSON
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    IPL60R199CPAUMA1.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    3.5V @ 660µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    PG-VSON-4
  • Serie
    CoolMOS™
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    199 mOhm @ 9.9A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    139W (Tc)
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    4-PowerTSFN
  • Altri nomi
    IPL60R199CPAUMA1CT
    IPL60R199CPCT
    IPL60R199CPCT-ND
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    2A (4 Weeks)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1520pF @ 100V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    32nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    650V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 650V 16.4A (Tc) 139W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    16.4A (Tc)

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