IPL65R650C6SATMA1

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Specifiche

Modello di prodotti

IPL65R650C6SATMA1
Costruttore / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 8TSON
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

IPL65R650C6SATMA1.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

3.5V @ 210µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

Thin-PAK (5x6)
Serie

CoolMOS™ C6
Rds On (max) a Id, Vgs

650 mOhm @ 2.1A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

56.8W (Tc)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

8-PowerTDFN
Altri nomi

SP001163082
temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

440pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

650V
Descrizione dettagliata

N-Channel 650V 6.7A (Tc) 56.8W (Tc) Surface Mount Thin-PAK (5x6)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

6.7A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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