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5767339Immagine IPN80R3K3P7ATMA1.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPN80R3K3P7ATMA1

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IPN80R3K3P7ATMA1
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    COOLMOS P7 800V SOT-223
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    A norma RoHS
  • Specifiche
    IPN80R3K3P7ATMA1.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    3.5V @ 30µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    PG-SOT223
  • Serie
    CoolMOS™ P7
  • Stato RoHS
    RoHS Compliant
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    3.3 Ohm @ 590mA, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    6.1W (Tc)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    SOT-223-3
  • Altri nomi
    IPN80R3K3P7ATMA1-ND
    IPN80R3K3P7ATMA1TR
    SP001664992
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    120pF @ 500V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    5.8nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    800V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 800V 1.9A (Tc) 6.1W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    1.9A (Tc)

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