International Rectifier (Infineon Technologies)

IPP057N08N3GXKSA1

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Specifiche

Modello di prodotti

IPP057N08N3GXKSA1
Costruttore / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

IPP057N08N3GXKSA1.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

3.5V @ 90µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

PG-TO-220-3
Serie

OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs

5.7 mOhm @ 80A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

150W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-220-3
Altri nomi

IPP057N08N3 G
IPP057N08N3 G-ND
IPP057N08N3G
SP000680810
temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4750pF @ 40V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

69nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

80V
Descrizione dettagliata

N-Channel 80V 80A (Tc) 150W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

80A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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IPP052N06L3GHKSA1

Descrizione: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)

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