International Rectifier (Infineon Technologies)

IPP076N12N3GXKSA1

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Specifiche

Modello di prodotti

IPP076N12N3GXKSA1
Costruttore / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

IPP076N12N3GXKSA1.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

4V @ 130µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

PG-TO-220-3
Serie

OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs

7.6 mOhm @ 100A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

188W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-220-3
Altri nomi

IPP076N12N3 G
IPP076N12N3 G-ND
IPP076N12N3G
SP000652736
temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6640pF @ 60V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

101nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

120V
Descrizione dettagliata

N-Channel 120V 100A (Tc) 188W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

100A (Tc)

Notizie correlate
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "IPP076N12N3GXKSA1".

IPP070N06L G

Descrizione: MOSFET N-CH 60V 80A TO-220

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)

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