International Rectifier (Infineon Technologies)

IPS110N12N3GBKMA1

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Specifiche

Modello di prodotti

IPS110N12N3GBKMA1
Costruttore / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 120V 75A TO251-3
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

IPS110N12N3GBKMA1.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

4V @ 83µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

PG-TO251-3
Serie

OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs

11 mOhm @ 75A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

136W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-251-3 Stub Leads, IPak
Altri nomi

IPS110N12N3 G
IPS110N12N3 G-ND
IPS110N12N3GBKMA1TR-ND
SP000674456
temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4310pF @ 60V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

65nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

120V
Descrizione dettagliata

N-Channel 120V 75A (Tc) 136W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

75A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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IPS105N03LGAKMA1

Descrizione: MOSFET N-CH 30V 35A TO251-3

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)

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IPS110N12N3GBKMA1

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