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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IPSA70R950CEAKMA1
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IPSA70R950CEAKMA1

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IPSA70R950CEAKMA1
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 700V 8.7A TO251-3
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    IPSA70R950CEAKMA1.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    3.5V @ 150µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    PG-TO251-3
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    950 mOhm @ 1.5A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    94W (Tc)
  • Contenitore / involucro
    TO-251-3 Stub Leads, IPak
  • Altri nomi
    SP001605396
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    328pF @ 100V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    15.3nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    700V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 700V 8.7A (Tc) 94W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    8.7A (Tc)

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Pagamento
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